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BFP196W Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

BFP196W Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited
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Bauteilbeschribung isc Silicon NPN RF Transistor

BFP196W Datasheet (PDF)

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BFP196W Datenblatt (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited


BFP196W Produktdetails

DESCRIPTION
• Low Noise Figure
   NF = 1.3 dB TYP.
   @VCE = 6 V, IC = 5 mA, f = 1GHz
• High Gain
   ︱ S21︱ 2 = 18dB TYP.
   @VCE= 6 V,IC = 30 mA,f = 1GHz
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust
   device performance and reliable operation

APPLICATIONS
• Designed for use in low noise ,high-gain
   amplifiers and linear broadband amplifiers.




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Über Inchange Semiconductor Company Limited


Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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