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SCTWA90N65G2V Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCTWA90N65G2V Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 119 A, 18 mΩ in an HiP247 long leads package

SCTWA90N65G2V Datasheet (PDF)

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SCTWA90N65G2V Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA90N65G2V Produktdetails

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Product status link SCTWA90N65G2V Product summary

Applications
■ Power supply for renewable energy systems
■ High frequency DC-DC converters
■ Charging stations




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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