CQY36N Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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CQY36N Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

CQY36N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Bauteilbeschribung

Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Bauteilbeschribung	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs

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CQY36N Produktdetails

• Package type: leaded
• Package form: T-¾
• Dimensions (in mm): Ø 1.8
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• Angle of half intensity: φ = ± 55°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matches with detector BPW16N
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in
accordance with WEEE 2002/96/EC

Ähnliche Teilenummer - CQY36N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	CQY36N	120Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package 08-Mar-05
	CQY36N	99Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY36N	95Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	97Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	99Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08

Ähnliche Beschreibung - CQY36N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	CQY37N	293Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7100	149Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSUS4400	108Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 05-Sep-08
	TSUS5400	110Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 05-Sep-08
	VSMS3700	140Kb / 7P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY36N	95Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	TSTS7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY36N	97Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	TSTS7100	142Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	139Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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