CQY36N Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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CQY36N Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

CQY36N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package

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Bauteilbeschribung	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package

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CQY36N Produktdetails

DESCRIPTION
CQY36N is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology molded in a miniature, clear plastic package without lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-¾
• Dimensions (in mm): Ø 1.8
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• Angle of half intensity: φ = ± 55°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matches with detector BPW16N
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance with WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Radiation source in near infrared range

Ähnliche Teilenummer - CQY36N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	CQY36N	99Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY36N	95Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	98Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	97Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 16-May-11
	CQY36N	99Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08

Ähnliche Beschreibung - CQY36N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	CQY37N	76Kb / 5P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package 20-May-99
Unity Opto Technology	MIE-516A2U	29Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-516A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-526A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-526A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-536A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-546A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-556A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-824A4	31Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
Vishay Siliconix	CQY37N	106Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-4/3) Package 30-Mar-06

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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