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PCGA200T65NF8M Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
PCGA200T65NF8M Datasheet PDF - ON Semiconductor
Teilenummer PCGA200T65NF8M
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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
Direct Link  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Bauteilbeschribung 650 V, 200 A Field Stop Trench IGBT with Solderable Top Metal

PCGA200T65NF8M Datasheet (PDF)

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PCGA200T65NF8M Datasheet PDF - ON Semiconductor

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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Bauteilbeschribung 650 V, 200 A Field Stop Trench IGBT with Solderable Top Metal

PCGA200T65NF8M Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


PCGA200T65NF8M Produktdetails

Features
• AEC−Q101 Qualified
• Maximum Junction Temperature 175C
• Positive Temperature Coefficient
• Easy Paralleling
• Short Circuit Rated
• Very Low Saturation Voltage: VCE(SAT) = 1.53 V(Typ.) @ IC = 200 A
• Optimized for Motor Control Applications
• Emitter Pad Covered with Solderable Metal Layer

Applications
• Automotive Traction Modules
• General Power Modules




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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