STI47N60DM6AG Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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STI47N60DM6AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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STI47N60DM6AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery
diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6
combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.

Applications
• Switching applications

Ähnliche Teilenummer - STI47N60DM6AG

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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