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STI410N4F7AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STI410N4F7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Automotive N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in an I²PAK package

STI410N4F7AG Datasheet (PDF)

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STI410N4F7AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Bauteilbeschribung Automotive N-channel 40 V, 1.5 mΩ typ., 180 A STripFET™ F7 Power MOSFET in an I²PAK package

STI410N4F7AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STI410N4F7AG Produktdetails

Features
 Designed for automotive applications
 Among the lowest RDS(on) on the market
 Excellent FoM (figure of merit)
 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
 High avalanche ruggedness

Applications
 Switching applications

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes
STripFET™ F7 technology with an enhanced
trench gate structure that results in very low onstate
resistance, while also reducing internal
capacitance and gate charge for faster and more
efficient switching.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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