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STP26N65DM2 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP26N65DM2 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 650 V, 0.156 Ω typ., 20 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N65DM2 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 650 V, 0.156 Ω typ., 20 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

STP26N65DM2 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP26N65DM2 Produktdetails

Features
• Fast-recovery body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Low on-resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fastrecovery
diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined
with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency
converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Applications
• Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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