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STP35N60M2-EP Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP35N60M2-EP Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.110 typ., 26 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

STP35N60M2-EP Datasheet (PDF)

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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung N-channel 600 V, 0.110 typ., 26 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

STP35N60M2-EP Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP35N60M2-EP Produktdetails

Features
 Extremely low gate charge
 Excellent output capacitance (COSS) profile
 Very low turn-off switching losses
 100% avalanche tested
 Zener-protected

Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using MDmesh™ M2 technology.
Thanks to its strip layout and an improved vertical
structure, the device exhibits low on-resistance
and optimized switching characteristics,
rendering it suitable for the most demanding high
efficiency converters.

Applications
 Switching applications
 Tailored for very high-frequency converters
(f > 150 kHz)




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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