SEFM8N18 Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

SEFM8N18 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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SEFM8N18 Produktdetails

HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS

These products are diffused multi-cell silicon gate
N-Channel enhancement mode Power-Mos field
effect transistors.

Ähnliche Beschreibung - SEFM8N18

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	BUZ72A	112Kb / 7P	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS Jun-1993
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List of Unclassifed Man...	SEFP8N18	75Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOS TRANSISTORS
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Comset Semiconductor	IRF830	109Kb / 3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STMicroelectronics	IRF720	343Kb / 6P	N-channel enhancement mode power mos transistors Jun-1988
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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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