SGSP216 Datenblatt(PDF)

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SGSP216 Produktdetails

HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS

These products are diffused multi-cell silicon gate N-Channel enhancement mode Power-Mos field effect transistors.

Ähnliche Beschreibung - SGSP216

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STMicroelectronics	MTH40N06	484Kb / 6P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Comset Semiconductor	BUZ71	106Kb / 3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
Comset Semiconductor	IRF830	109Kb / 3P	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STMicroelectronics	IRF720	343Kb / 6P	N-channel enhancement mode power mos transistors Jun-1988
	SEFM8N18	808Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOS TRANSISTORS
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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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