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GWA30N120KD Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
GWA30N120KD Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung 30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

GWA30N120KD Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

GWA30N120KD Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


GWA30N120KD Produktdetails

Features
■ Low on-losses
■ High current capability
■ Low gate charge
■ Short circuit withstand time 10 μs
■ IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling
diode

Applications
■ Motor control

Description
This high voltage and short-circuit rugged IGBT
utilizes the advanced PowerMESH™ process
resulting in an excellent trade-off between
switching performance and low ON-state
behavior.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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