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STH80N10LF7-2AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STH80N10LF7-2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 100 V, 7 mΩ typ., 80 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package

STH80N10LF7-2AG Datasheet (PDF)

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STH80N10LF7-2AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STH80N10LF7-2AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Among the lowest RDS(on) on the market
• Excellent FoM (figure of merit)
• Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
• High avalanche ruggedness

Applications
• Switching applications

Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an
enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also
reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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