STI10NM60N Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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STI10NM60N Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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STI10NM60N Produktdetails

Features
• 100% avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance

Applications
• Switching applications

Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the second generation of
MDmesh™ technology. This revolutionary Power
MOSFET associates a vertical structure to the
company’s strip layout to yield one of the world’s
lowest on-resistance and gate charge. It is
therefore suitable for the most demanding high
efficiency converters.

Ähnliche Teilenummer - STI10NM60N

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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Ähnliche Beschreibung - STI10NM60N

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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