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STS5DP3LLH6 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STS5DP3LLH6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Dual P-channel -30 V, 48 mΩ typ., -5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package

STS5DP3LLH6 Datasheet (PDF)

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STS5DP3LLH6 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STS5DP3LLH6 Produktdetails

Features
 Very low on-resistance
 Very low gate charge
 High avalanche ruggedness
 Low gate drive power loss

Applications
 Switching applications

Description
This device is a P-channel Power MOSFET
developed using the STripFET™ H6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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