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STG15M120F3D8 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STG15M120F3D8 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung 1200 V, 15 A trench gate field‑stop M series low‑loss IGBT die in D8 packing

STG15M120F3D8 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 1200 V, 15 A trench gate field‑stop M series low‑loss IGBT die in D8 packing

STG15M120F3D8 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STG15M120F3D8 Produktdetails

Features
• 10 μs of short-circuit withstand time
• Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) at IC = 15 A
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• Minimized junction temperature: TJ = 175 °C

Applications
• Motor control
• Industrial drives
• PFC
• UPS
• Solar
• General purpose inverter

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss
and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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