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STG25H120F2D7 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STG25H120F2D7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung 1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

STG25H120F2D7 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

STG25H120F2D7 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STG25H120F2D7 Produktdetails

Description
This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs. & ( * 6&

Features
■ 5 µs of short-circuit withstand time
■ Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
■ Tight parameter distribution
■ Low switching-off losses
■ Safer paralleling

Applications
■ Welding
■ UPS
■ Industrial drives
■ Photovoltaic inverter




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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