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SGT120R65AL Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SGT120R65AL Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT120R65AL Datasheet (PDF)

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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung 650 V, 75 mΩ typ., 15 A, e-mode PowerGaN transistor

SGT120R65AL Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SGT120R65AL Produktdetails

Features
• Enhancement mode normally off transistor
• Very high switching speed
• High power management capability
• Extremely low capacitances
• Kelvin source pad for optimum gate driving
• Zero reverse recovery charge
Applications
• Adapters for tablets, notebook and AIO
• USB type-C PD adapters and quick chargers
• Wireless chargers
Description
The SGT120R65AL is a 650 V, 15 A e-mode PowerGaN transistor combined with
a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides
extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching
operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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