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SCTHS250N65G3 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCTHS250N65G3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package

SCTHS250N65G3 Datasheet (PDF)

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SCTHS250N65G3 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCTHS250N65G3 Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Source sensing pin for increased efficiency
Application
• Main inverter (electric traction)
Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with
low capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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