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SCTHS250N120G3AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCTHS250N120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package

SCTHS250N120G3AG Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mΩ typ., 239 A in a STPAK package

SCTHS250N120G3AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCTHS250N120G3AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Application
• Main inverter (electric traction)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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