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STW9N150 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STW9N150 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 1500 V - 1.8 Ω - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

STW9N150 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N-channel 1500 V - 1.8 Ω - 8 A - TO-247 very high voltage PowerMESH™ Power MOSFET

STW9N150 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STW9N150 Produktdetails

Features
■ 100% avalanche tested
■ Avalanche ruggedness
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitances
■ High speed switching
■ Very low on-resistance

Application
■ Switching applications

Description
Using the well consolidated high voltage MESH
OVERLAY™ process, STMicroelectronics has
designed an advanced family of Power MOSFETs
with outstanding performances. The strengthened
layout coupled with the company’s proprietary
edge termination structure, gives the lowest
RDS(on) per area, unrivalled gate charge and
switching characteristics.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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