SBE813 Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SBE813 Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

SBE813 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung

Low IR Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier

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SBE813 Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

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SBE813 Produktdetails

30V, 3.0A Rectifier

Features
• Small switching noise
• Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure
• Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim

Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers)

Ähnliche Teilenummer - SBE813

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	SBE813	345Kb / 6P	Schottky Barrier Diode September, 2013
Sanyo Semicon Device	SBE813-TL-E	410Kb / 6P	30V, 3.0A Rectifier
ON Semiconductor	SBE813-TL-E	345Kb / 6P	Schottky Barrier Diode September, 2013
Sanyo Semicon Device	SBE813	410Kb / 6P	30V, 3.0A Rectifier

Ähnliche Beschreibung - SBE813

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Sanyo Semicon Device	SB0503EC	51Kb / 3P	Low IR Schottky Barrier Diode 30V, 0.5A Rectifier
	SB3003CH	43Kb / 3P	Low IR Schottky Barrier Diode Low IR Schottky Barrier Diode
	SBS813	40Kb / 3P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier
	SS3003CH	43Kb / 3P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier
Fuji Electric	MS868C12	625Kb / 5P	Low IR Schottky Barrier Diode
	PG865C15R	567Kb / 5P	Low IR Schottky Barrier Diode
	TS862C10R	145Kb / 3P	Low IR Schottky barrier diode
	YA862C04R	134Kb / 3P	Low IR Schottky barrier diode
ON Semiconductor	SB07-03C-TB-E	321Kb / 6P	Schottky Barrier Diode 30V, 0.7A, Low IR, Single CP September, 2013
ON Semiconductor	SB1003M3-TL-E	316Kb / 6P	Schottky Barrier Diode 30V, 1A, Low IR, Single MCPH3 September, 2013

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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