SS3003CH Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SS3003CH Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

SS3003CH Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung

Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier

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Bauteilbeschribung	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier

SS3003CH Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

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SS3003CH Produktdetails

30V, 3.0A Rectifier

Features
• Small switching noise.
• Low forward voltage (IF=3A, VF max=0.42V).
• Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim.

Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).

Ähnliche Teilenummer - SS3003CH

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	SS3003CH	743Kb / 4P	Schottky Barrier Diode June, 2014
	SS3003CH	150Kb / 5P	Shottky Barrier Diode, Low VF, Single CPH6 30 V, 3.0 A September, 2023 - Rev. 3
	SS3003CH-TL-E	743Kb / 4P	Schottky Barrier Diode June, 2014
	SS3003CH-TL-E	150Kb / 5P	Shottky Barrier Diode, Low VF, Single CPH6 30 V, 3.0 A September, 2023 - Rev. 3
	SS3003CH-TL-W	743Kb / 4P	Schottky Barrier Diode June, 2014

Ähnliche Beschreibung - SS3003CH

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	B340LA	67Kb / 2P	3.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30240 Rev. B-2
	SB330L	54Kb / 2P	3.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30219 Rev. C-2
	B340LA	459Kb / 3P	3.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30240 Rev. 6 - 2
Sanyo Semicon Device	SBE813	40Kb / 3P	Low IR Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier
	SBS813	40Kb / 3P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 3.0A Rectifier
	SBS814	37Kb / 4P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier
	SBS818	63Kb / 4P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
Diodes Incorporated	B340LA	98Kb / 4P	3.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev. 10 - 2 September 2010
Diodes Incorporated	B340LAB	98Kb / 4P	3.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev 10
Zibo Seno Electronic En...	SR330L	125Kb / 2P	3.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER DIODE

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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