SS20015M Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SS20015M Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

SS20015M Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


Teilenummer	SS20015M

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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung

Low VF Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier

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Bauteilbeschribung	Low VF Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier

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SS20015M Produktdetails

15V, 2.0A Rectifier

Features
• Small switching noise.
• Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.43V).
• Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim (mounting height 0.85mm).

Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).

Ähnliche Teilenummer - SS20015M

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Rectron Semiconductor	SS200	249Kb / 6P	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Sanyo Semicon Device	SS2003M	32Kb / 3P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
ON Semiconductor	SS2003M	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
	SS2003M	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
	SS2003M-TL-E	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013

Ähnliche Beschreibung - SS20015M

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DFLS240L	88Kb / 3P	2.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30516 Rev. 4 - 2
Sanyo Semicon Device	SB20015M	42Kb / 3P	Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier
	SBS817	58Kb / 4P	Low VF Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier
	SBS818	63Kb / 4P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
	SBE817	59Kb / 4P	Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier
Diodes Incorporated	DFLS240L	95Kb / 4P	2.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DS30516 Rev. 8 - 2
	DFLS240LQ	212Kb / 5P	2.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev 1
	DFLS240L	95Kb / 4P	2.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER PowerDI짰123 Rev erse
Zibo Seno Electronic En...	SR230L	164Kb / 2P	2.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER DIODE
Diodes Incorporated	DFLS240LQ	370Kb / 5P	2.0A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev 2

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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