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SCTWA60N120G2-4 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCTWA60N120G2-4 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Bauteilbeschribung Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCTWA60N120G2-4 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 35 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCTWA60N120G2-4 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA60N120G2-4 Produktdetails

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Extremely low gate charge and input capacitance
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Switching mode power supply
• DC-DC converters
• Industrial motor control




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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