Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

Preview PDF HTML

STH60N099DM9-2AG Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STH60N099DM9-2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Teilenummer STH60N099DM9-2AG
Download  STH60N099DM9-2AG Download
Filegröße   737.38 Kbytes
Page   14 Pages
Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Direct Link  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mΩ typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET in an H²PAK-2 package

STH60N099DM9-2AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
STH60N099DM9-2AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

Teilenummer STH60N099DM9-2AG
Download  STH60N099DM9-2AG Click to download

Filegröße   737.38 Kbytes
Page   14 Pages
Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Direct Link  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Bauteilbeschribung Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mΩ typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET in an H²PAK-2 package

STH60N099DM9-2AG Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STH60N099DM9-2AG Produktdetails

Features
• AEC-Q101 qualified
• Fast-recovery body diode
• Worldwide best RDS(on) per area among silicon-based fast recovery devices
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely dv/dt ruggednes
• Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Applications
• High efficiency switching applications

Description
This N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super-junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast-recovery diode. The silicon-based DM9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The fast-recovery diode featuring very low recovery charge (Qrr), time (trr) and RDS(on) makes this fast-switching super-junction Power MOSFET tailored for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.




Ähnliche Teilenummer - STH60N099DM9-2AG

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
STMicroelectronics		 STH60N10 STMICROELECTRONICS-STH60N10 Datasheet
246Kb / 11P		 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
May-1993
STH60N10FI STMICROELECTRONICS-STH60N10FI Datasheet
246Kb / 11P		 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
May-1993
More results


Ähnliche Beschreibung - STH60N099DM9-2AG

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
STMicroelectronics		 STH13N120K5-2AG STMICROELECTRONICS-STH13N120K5-2AG Datasheet
584Kb / 15P		 Automotive-grade N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK‑2 package
16-Jun-2020
STP60N043DM9 STMICROELECTRONICS-STP60N043DM9 Datasheet
227Kb / 12P		 N-channel 600 V, 38 mΩ typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-220 package
06-Sep-2022
STB18N60M6 STMICROELECTRONICS-STB18N60M6 Datasheet
631Kb / 16P		 N-channel 600 V, 230 mΩ typ., 13 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a D²PAK package
19-Apr-2019
STH10N80K5-2AG STMICROELECTRONICS-STH10N80K5-2AG Datasheet
424Kb / 14P		 Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ω typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK-2 package
13-May-2020
STH12N120K5-2AG STMICROELECTRONICS-STH12N120K5-2AG Datasheet
405Kb / 15P		 Automotive-grade N-channel 1200 V, 1.45 Ω typ., 7 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H²PAK‑2 package
28-Oct-2022
STH36N60DM6-7AG STMICROELECTRONICS-STH36N60DM6-7AG Datasheet
469Kb / 14P		 Automotive-grade N-channel 600 V, 0.084 Ω typ., 29 A MDmesh™ DM6 Power MOSFET in an H²PAK-7 package
26-Sep-2018
SCT012H90G3AG STMICROELECTRONICS-SCT012H90G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package
27-Sep-2022
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
More results




Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Link zum Datenblatt    |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com