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AM81719-030 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
AM81719-030 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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AM81719-030 Datasheet (PDF)

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AM81719-030 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


AM81719-030 Produktdetails

DESCRIPTION
The AM81719-030 is a high power silicon NPN bipolar transistor designed for Class C, CW communications and telemetry applications in the 1.75 - 1.85 GHz frequency range.
An emitter site ballasted refractory/gold overlay die geometry computerized automatic wire bonding is employed to ensure long term reliability and product consistency.
AM81719-030 is supplied in the industry-standard AMPAC hermetic metal/ceramic package.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ LOW THERMAL RESISTANCE
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 28 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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