MSC81325M Datenblatt(PDF)

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MSC81325M Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

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MSC81325M Produktdetails

DESCRIPTION
The MSC81325M device is a high power pulsed transistor specifically designed for DME/TACAN avionics applications.
This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under full rated conditions. Low RF thermal resistance and semiautomatic bonding techniques ensure high reliability and product consistency.
The MSC81325M is housed in the industry-standard AMPAC™ metal/ceramic hermetic package with internal input/output matching structures.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER BALLASTED
■ RUGGEDIZED VSWR ∞:1
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 325 W MIN. WITH 6.7 dB GAIN

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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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