LET8180 Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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LET8180 Produktdetails

DESCRIPTION
The LET8180 is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The LET8180 is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 32 V. Its internal matching makes it ideal for base station applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

• EXCELLENT THERMAL STABILITY
• COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSH-PULL
• POUT = 220 W with 17 dB TYP. gain @ 860 MHz
• BeO FREE PACKAGE
• INTERNAL INPUT MATCHING
• ESD PROTECTION

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	LET-AA-S	1Mb / 6P	IN-LINE WATERTIGHT FUSE HOLDERS Rev: 052720
	LET-AB	1Mb / 6P	IN-LINE WATERTIGHT FUSE HOLDERS Rev: 052720
	LET-AB-S	1Mb / 6P	IN-LINE WATERTIGHT FUSE HOLDERS Rev: 052720

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	LET9045S	292Kb / 9P	RF POWER TRANSISTORS Ldmos Enhanced Technology in Plastic Package 27-Feb-2003
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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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