NP100P04PLG Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

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NP100P04PLG Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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NP100P04PLG Produktdetails

 Super low on-state resistance : RDS(on) = 3.7 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -50 A )
RDS(on) = 5.1 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -50 A )
 Low input capacitance : Ciss = 15100 pF Typ.
 Built-in gate protection diode
 Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified.
 Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode)

Ähnliche Teilenummer - NP100P04PLG

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Renesas Technology Corp	NP100P04PLG-E1-AYNote	300Kb / 9P	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET
NEC	NP100P04PLG-E2-AY	191Kb / 7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Ähnliche Beschreibung - NP100P04PLG

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First Silicon Co., Ltd	FTK4903D	1Mb / 5P	40V P-channel MOS FET
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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