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MSC81350M Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
MSC81350M Datasheet PDF - STMicroelectronics
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MSC81350M Datasheet (PDF)

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MSC81350M Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


MSC81350M Produktdetails

DESCRIPTION
The MSC81350M device is a high power pulsed transistor specifically designed for IFF avionics applications.
This device is capable of withstanding a minimum 20:1 load VSWR at any phase angle under full rated conditions. Low RF thermal resistance and semi automatic wire bonding techniques ensure high reliability and product consistency.
The MSC81350M is housed in the unique AMPAC™ package with internal input/output matching structures.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ RUGGEDIZED VSWR 20:1
■ INTERNAL INPUT/OUTPUT MATCHING
■ LOW THERMAL RESISTANCE
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 350 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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