KSH112 Datenblatt(PDF)

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KSH112 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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KSH112 Produktdetails

DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= -100V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat): -3.0V(Max) @IC= -4A
APPLICATIONS
· Switching Regulators
· Converters
· Power Amplifiers

Ähnliche Beschreibung - KSH112

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	2SD1630	125Kb / 2P	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR
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New Jersey Semi-Conduct...	TIP152	84Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
	MJH11018	84Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
	TIP142T	80Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
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Inchange Semiconductor ...	2SD1124	260Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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