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STD19NE06L Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STD19NE06L Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL 60V - 0.038 ohm - 19A - TO-251/TO-252 STripFET POWER MOSFET

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STD19NE06L Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STD19NE06L Produktdetails

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.



■ TYPICAL RDS(on) = 0.038 Ω

■ 100% AVALANCHE TESTED

■ LOW GATE CHARGE

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX “T4")



APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RALAY DRIVERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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