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STD19NE06 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

STD19NE06 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-CHANNEL 60V - 0.042 W - 19A IPAK/DPAK STripFET POWER MOSFET

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STD19NE06 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STD19NE06 Produktdetails

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.



■ TYPICAL RDS(on) = 0.042 Ω

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100% AVALANCHE TESTED

■ 175 oC OPERATING TEMPERATURE

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX “-1")

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL(SUFFIX “T4")



APPLICATIONS

■ DC MOTOR CONTROL

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION




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Über STMicroelectronics


Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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