Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

STP16NE06FP Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics

STP16NE06FP Datasheet PDF - STMicroelectronics
Teilenummer STP16NE06FP
Download  STP16NE06FP Download

Filegröße   70.66 Kbytes
Page   7 Pages
Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Direct Link  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET

STP16NE06FP Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
STP16NE06FP Datasheet PDF - STMicroelectronics

Teilenummer STP16NE06FP
Download  STP16NE06FP Click to download

Filegröße   70.66 Kbytes
Page   7 Pages
Hersteller  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Direct Link  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE] POWER MOSFET

STP16NE06FP Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics

STP16NE06FP Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STP16NE06FP Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STP16NE06FP Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STP16NE06FP Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STP16NE06FP Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STP16NE06FP Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STP16NE06FP Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics

STP16NE06FP Produktdetails

DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size” process whereby a single body is implanted on a strip layout structure. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.09 Ω
■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ 175oC OPERATING TEMPERATURE
■ HIGH dV/dt CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION




Ähnliche Teilenummer - STP16NE06FP

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
STMicroelectronics
STP16NE06FP STMICROELECTRONICS-STP16NE06FP Datasheet
337Kb / 9P
   N - CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 16A - TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET
More results


Ähnliche Beschreibung - STP16NE06FP

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
STMicroelectronics
STB60NE06-16 STMICROELECTRONICS-STB60NE06-16 Datasheet
115Kb / 9P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB80NE06-10 STMICROELECTRONICS-STB80NE06-10 Datasheet
94Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP55NE06 STMICROELECTRONICS-STP55NE06 Datasheet
120Kb / 9P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP80NE06-10 STMICROELECTRONICS-STP80NE06-10 Datasheet
92Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STD20NE06 STMICROELECTRONICS-STD20NE06 Datasheet
96Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
STD20NE03L STMICROELECTRONICS-STD20NE03L Datasheet
105Kb / 9P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
STP60NE03L-10 STMICROELECTRONICS-STP60NE03L-10 Datasheet
99Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB55NE06 STMICROELECTRONICS-STB55NE06 Datasheet
98Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
STB55NE06L STMICROELECTRONICS-STB55NE06L Datasheet
55Kb / 5P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB60NE03L-10 STMICROELECTRONICS-STB60NE03L-10 Datasheet
99Kb / 8P
   N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ??SINGLE FEATURE SIZE ??POWER MOSFET
More results




Über STMicroelectronics


Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



Privatsphäre und Datenschutz
ALLDATASHEETDE.COM
War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com