HTT1129E Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

HTT1129E Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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HTT1129E Produktdetails

Features
• Include 2 transistors in a small size SMD package: EMFPAK–6 (6 Leads: 1.2 x 0.8 x 0.5 mm)

Ähnliche Beschreibung - HTT1129E

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	UPA827TF	166Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
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California Eastern Labs	UPA831TC	16Kb / 2P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
NEC	UPA821TF	40Kb / 6P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
	UPA826TC	35Kb / 3P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
	UPA832TF	58Kb / 9P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
	UPA833TF	77Kb / 11P	NPN SILICON EPITAXIAL TWIN TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	HTT1127E	284Kb / 9P	Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor
Renesas Technology Corp	HTT1213E	144Kb / 4P	Silicon NPN Epitaxial Twin Transistor

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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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