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VSKCS209/150P Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
VSKCS209/150P Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer VSKCS209/150P
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Schottky Rectifier, 200 A

VSKCS209/150P Datasheet (PDF)

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VSKCS209/150P Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


VSKCS209/150P Produktdetails

DESCRIPTION
The VSKCS209.. Schottky rectifier common cathode has been optimized for low reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C junction temperature.
Typical applications are in high current switching power supplies, plating power supplies, UPS systems, converters, freewheeling diodes, welding, and reverse battery protection.

FEATURES
• 175 °C TJ operation
• Low forward voltage drop
• High frequency operation
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
• UL pending
• Totally lead (Pb)-free, RoHS compliant
• Designed and qualified for industrial level




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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