TSAL6200 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL6200 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSAL6200 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package

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TSAL6200 Produktdetails

DESCRIPTION
TSAL6200 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power and high speed molded in a blue-gray plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): Ø 5
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 17°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• Infrared remote control units with high power requirements
• Free air transmission systems
• Infrared source for optical counters and card readers

Ähnliche Teilenummer - TSAL6200

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSAL6200	111Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 2.1, 04-Sep-08
	TSAL6200	103Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs Rev. 2.2, 22-Jun-09
	TSAL6200	110Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Rev. 2.4, 13-Mar-14
	TSAL6200	108Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2022
	TSAL6200	108Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 01-Jan-2023

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	TSAL7300	83Kb / 6P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 1, 20-May-99
	TSAL6100	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 2, 20-May-99
	TSAL6400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 4, 20-May-99
	TSAL7200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package Rev. 1, 20-May-99
	TSAL4400	81Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰3 mm (T.1) Package Rev. 3, 20-May-99
	TSFF5200	87Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø5 mm (T–13/4) Package Rev. 2, 29-Jun-99
TEMIC Semiconductors	TSIL6400	111Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diodes in 첩 5 mm Package
Vishay Siliconix	TSHF5400	84Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package Rev. 7, 02-Aug-99

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

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