TSAL7600 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL7600 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSAL7600 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package

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TSAL7600 Produktdetails

DESCRIPTION
TSAL7600 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): Ø 5
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 30°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

APPLICTIONS
• Infrared remote control units with high power requirements
• Free air transmission systems
• Infrared source for optical counters and card readers

Ähnliche Teilenummer - TSAL7600

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSAL7600	120Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 04-Sep-08
	TSAL7600	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 29-Jun-09
	TSAL7600	101Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 24-Aug-11
	TSAL7600	120Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 04-Sep-08
	TSAL7600	112Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 29-Jun-09

Ähnliche Beschreibung - TSAL7600

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSAL4400	81Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰3 mm (T.1) Package 20-May-99
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	TSAL6200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL6400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7300	83Kb / 6P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSFF5200	87Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø5 mm (T–13/4) Package 29-Jun-99
	TSHF5400	84Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package 02-Aug-99
TEMIC Semiconductors	TSIL6400	111Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diodes in 첩 5 mm Package

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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