TSTA7100 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSTA7100 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSTA7100 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case

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Bauteilbeschribung	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case

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TSTA7100 Produktdetails

DESCRIPTION
TSTA7100 is an infrared, 875 nm emitting diode in GaAlAs technology in a hermetically sealed TO-18 package with lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: TO-18
• Dimensions (in mm): ∅ 4.7
• Peak wavelength: λp = 875 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 5°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Radiation source near infrared range

Ähnliche Teilenummer - TSTA7100

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSTA7100	150Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	150Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08
	TSTA7100	143Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 04-Sep-08

Ähnliche Beschreibung - TSTA7100

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSTA7300	82Kb / 6P	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS710	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS730	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS750	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	T8514VB	92Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 29-Mar-10
	T8719VA	85Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 23-Mar-11
	T8914VA	100Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 29-Mar-10
	TB9414VA	84Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 28-Jul-14
	TB9414VA	85Kb / 4P	Specification of GaAlAs IR Emitting Diode Chip 28-Jul-14

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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