TSTS730 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSTS730 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSTS730 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Bauteilbeschribung

GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case

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Bauteilbeschribung	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case

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TSTS730 Produktdetails

Description
The TSTS730. series are infrared emitting diodes in standard GaAs technology in a hermetically sealed TO-18 package. Their glass lenses provide a high radiant intensity without external optics.

Features
• High radiant intensity
• Suitable for pulse operation
• Angle of half intensity ϕ = ± 12°
• Peak wavelength λp = 950 nm
• High reliability
• Good spectral matching to Si photodetectors
• Lead-free device

Applications
Radiation source in near infrared range

Ähnliche Teilenummer - TSTS730

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSTS7300	146Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	140Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	139Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	146Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	TSTS7300	140Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08

Ähnliche Beschreibung - TSTS730

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSTA7100	82Kb / 6P	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTA7300	82Kb / 6P	GaAlAs IR Emitting Diode in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS710	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
	TSTS750	81Kb / 5P	GaAs IR Emitting Diodes in Hermetically Sealed TO18 Case 20-May-99
Seme LAB	2N2412X	14Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18
	2N3007	14Kb / 1P	Bipolar NPNP Device in a Hermetically sealed TO18
	2N3250A	14Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18
	BFY74	14Kb / 1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18
	CV7477	14Kb / 1P	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO18

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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