NESG220033-A Datenblatt(PDF) - NEC

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NESG220033-A Datenblatt (PDF) - NEC

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Bauteilbeschribung	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

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NESG220033-A Produktdetails

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin minimold (33 PKG)

Ähnliche Teilenummer - NESG220033-A

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	NESG220033-T1B	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

Ähnliche Beschreibung - NESG220033-A

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	97Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	224Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

Über NEC

Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

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