NESG220033 Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

ALLDATASHEETDE.COM

X

NESG220033 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


Teilenummer	NESG220033

Download	NESG220033 Download

Filegröße	224.53 Kbytes

Page	10 Pages

Hersteller	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Direct Link	http://www.renesas.com

Logo

Bauteilbeschribung

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Download Datenblatt

NESG220033 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


Teilenummer	NESG220033

Download	NESG220033 Click to download

Filegröße	224.53 Kbytes

Page	10 Pages

Hersteller	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Direct Link	http://www.renesas.com

Logo

Bauteilbeschribung	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

NESG220033 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 9Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Datasheet HTML 10Page - Renesas Technology Corp

NESG220033 Produktdetails

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

FEATURES
• The device is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.
NF = 0.75 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz
• PO (1 dB) = 21.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =14.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS2) : fT = 12.5 GHz
• This product is improvement of ESD of NESG2xxx series.
• 3-pin minimold (33 PKG)

Ähnliche Teilenummer - NESG220033

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	NESG220033	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033-A	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033-T1B	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033-T1B-A	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)

Ähnliche Beschreibung - NESG220033

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	NESG210833	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220033	95Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	97Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	103Kb / 8P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	91Kb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
Renesas Technology Corp	NESG210833	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG220034	226Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
	NESG240033	232Kb / 10P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN MINIMOLD (33 PKG)
	NESG240034	221Kb / 11P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR UHF-BAND, LOW NOISE, LOW DISTORTION AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

Link URL

War ALLDATASHEET hilfreich? [ DONATE ]

Über Alldatasheet | Werbung | Kontakt | Privatsphäre und Datenschutz | Link zum Datenblatt | Linktausch | Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com