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PBSS302ND Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors
PBSS302ND Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Bauteilbeschribung 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

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Bauteilbeschribung 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

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PBSS302ND Produktdetails

General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS302PD.

Features
■ Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ 4 A continuous collector current capability IC
■ Up to 15 A peak current
■ Very low collector-emitter saturation resistance
■ High efficiency due to less heat generation

Applications
■ Power management functions
■ Charging circuits
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Power switches (e.g. motors, fans)
■ Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter




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Über NXP Semiconductors

NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.

Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.

NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.

Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.

NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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