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IXFN210N20P Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXFN210N20P Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXFN210N20P Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Polar HiPerFET

IXFN210N20P Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXFN210N20P Produktdetails

Polar™ HiPerFET™ Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode

Features
• International Standard Package
• miniBLOC, with Aluminium Nitride Isolation
• Low Package Inductance Avalanche Rated
• Low RDS(ON) and QG
• Fast Intrinsic Diode

Advantages
• Easy to Mount
• Space Savings
• High Power Density

Applications
• DC-DC Coverters
• Battery Chargers
• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
• DC Choppers
• AC and DC Motor Drives
• Uninterrupted Power Supplies
• High Speed Power Switching Applications




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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