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RJH30H2DPK-M0 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

RJH30H2DPK-M0 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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RJH30H2DPK-M0 Datasheet (PDF)

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RJH30H2DPK-M0 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


RJH30H2DPK-M0 Produktdetails

Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ
● High speed switching: tr = 100 ns typ, tf = 180 ns typ
● Low leak current: ICES = 1 A max
● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ , trr = 23 ns typ




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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