RJH30 Datenblatt(PDF)

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RJH30 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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RJH30 Produktdetails

Features
● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.
● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.
● Low leak current: ICES = 1 μA max.
● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.
● Isolated package: TO-220FL

Ähnliche Beschreibung - RJH30

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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Hitachi Semiconductor	2SH30	43Kb / 8P	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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