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IXBX55N300 Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXBX55N300 Datasheet PDF - IXYS Corporation
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Bauteilbeschribung High Voltage, High Gain BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBX55N300 Datasheet (PDF)

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IXBX55N300 Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXBX55N300 Produktdetails

Features
• High Blocking Voltage
• International Standard Packages
• Low Conduction Losses
• High Current Handling Capability
• MOS Gate Turn-On - Drive Simplicity

Advantages
• Easy to Mount
• Space Savings
• High Power Density

Applications
• Uninterruptible Power Supplies (UPS)
• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
• Capacitor Discharge Circuits
• Laser Generators




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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