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2SC5606-A Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
2SC5606-A Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Direct Link  http://www.renesas.com
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Bauteilbeschribung NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION

2SC5606-A Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


2SC5606-A Produktdetails

FEATURES
• Suitable for high-frequency oscillation
• fT = 25 GHz technology adopted
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package




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189Kb / 5P		 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION
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Renesas Technology Corp		 2SC5761 RENESAS-2SC5761 Datasheet
305Kb / 16P		 NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION
May 2003
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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