UPA802T Datenblatt(PDF) - NEC

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UPA802T Datenblatt (PDF) - NEC

UPA802T Datasheet PDF - NEC


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HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

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UPA802T Produktdetails

The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES
• Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• A Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)

Ähnliche Teilenummer - UPA802T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
California Eastern Labs	UPA802T	236Kb / 10P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA802T	216Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA802T	606Kb / 9P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	UPA802T-T1	216Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
California Eastern Labs	UPA802T-T1-A	236Kb / 10P	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

Ähnliche Beschreibung - UPA802T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	2SC4955	44Kb / 6P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
	UPA800T	51Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA803T	60Kb / 8P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA806T	49Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA807T	56Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA808T	65Kb / 12P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS SUPER MINI MOLD
	UPA809T	66Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD
	UPA811T	49Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4228 SMALL MINI MOLD
	UPA812T	50Kb / 6P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC4227 SMALL MINI MOLD
	UPC805T	57Kb / 6P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

Über NEC

Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

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